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        日本新技術(shù)可將氮化鎵半導(dǎo)體材料制造成本降90%,這意味著什么?

        來源:作者:時(shí)間:2023-09-06 03:26:49點(diǎn)擊:

         《科創(chuàng)板日報(bào)》5日訊,日本最大的半導(dǎo)體晶圓企業(yè)信越化學(xué)工業(yè)和從事ATM及通信設(shè)備的OKI開發(fā)出了以低成本制造使用氮化鎵(GaN)的功率半導(dǎo)體材料的技術(shù)。制造成本可以降至傳統(tǒng)制法的十分之一以下。如果能夠量產(chǎn),用于快速充電器等用途廣泛,有利于普及。

        具體來看,該新技術(shù)可以在特有的基板上噴鎵系氣體,使晶體生長,晶體放在其他基板上作為功率半導(dǎo)體的晶圓使用。

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        有網(wǎng)友找到來消息的具體來源,是一家佳作信越化學(xué)工業(yè)的公司網(wǎng)站上的官方通告。

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        網(wǎng)頁鏈接:《Shin-Etsu Chemical to further drive forward its QST® substrate business for implementation in GaN power devices》,大家有興趣可以自己去看看

        部分網(wǎng)友對于該消息的真實(shí)性表示質(zhì)疑,有資深電子行業(yè)從業(yè)者表示,如果制造成本能夠降低90%,那么對于行業(yè)發(fā)展來說顯然是極好的,但這樣的技術(shù)進(jìn)步,沒有首先發(fā)生在掌握了全世界氮化鎵90%以上產(chǎn)能的中國,而是發(fā)生在了日本,這就有點(diǎn)不可思議了。

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